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• 不純物補償

• ホール角

• ヘテロ接合バイポーラトランジスター

• 破壊電圧

• 原子価制御

• ドナー準位

• 電荷; 荷電

• バレー軌道分裂; 軌道分裂

• 自己束縛電子；自縄自縛電子

• 誘電体

• トランジスター

• 谷【半導体】

• スナップオフダイオード

• 成長接合型トランジスタ

• レーザーアニーリング

• P型半導体

• M中心

• 局在振動

• 構造緩和

• 基本格子

• 化合物半導体

• 不純物半導体

• ホール移動度

• ヘテロ接合

• ハイトラー・ ロンドン型の絶縁体

• ガン効果

• ドナー-アクセプター対発光

• 伝導帯

• バイブロニック状態

• 磁性半導体

• 誘電正接

• トンネル接合

• 単分散系

• 水素化

• 正孔

• 励起子吸収

• 音響モード

• MOS構造

• 局在モード

• 固有半導体→sinsei-handôtai

• 軌道帯磁率

• 価電子帯

• 不純物伝導

• ホール; 正孔

• 変調ドープ構造

• ハイパーラマン散乱

• ガンダイオード

• ドナー

• 伝導率；伝導度

• 圧電振動子