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• 電子雪崩効果; 雪崩効果

• 分数量子ホール効果

• アモルファス半導体→hisyôsitu-handôtai

• 誘電損失

• ゼロギャップ半導体

• 直接ギャップ半導体

• 点接触ダイオード

• 少数キャリヤー

• シリコンダイオード

• ローレンツ・ローレンスの式

• ピエゾ光反射率

• 無秩序系

• 強誘電相転移

• クーロンギャッフ°

• 光学モード

• 干渉性―（形）

• 不純物準位

• フォトルミネセンス

• 光起電力効果; 光起電効果

• 半導体-金属接合

• ゲッタリング

• エピタキシアル型トランジスター

• 電子雪崩

• 分散式

• アクセプター準位

• 領域；分域

• ユニポーラートランジスター

• 超格子

• 定電圧ダイオード

• 消衰係数

• 真性半導体; 固有半導体

• ローレンツ局所電場

• パラメトリックダイオード

• モット絶縁体

• 強誘電性半導体

• クラウジウス・モソッテイの式

• 光電流

• 間接遷移

• 不純物中心

• フォトダイオード

• 光起電力

• 半導体

• ゲート

• ドリフト移動度

• 電気双極子モーメント; 電気双極モーメント

• 分域構造

• アクセプター

• 整流；精留

• ユニポーラー集積回路

• 超階段接合