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• ダブルベースダイオード

• 浅い不純物準位

• バンド湾曲

• 自発分極

• 直接遷移

• 点接触トランジスター

• ショットキーダイオード

• 失透

• ロシェル塩

• ピエゾポーラロン

• n型半導体

• 強誘電体

• キャリヤー

• 後方散乱

• 感受率

• 表面状態

• ホトトランジスター

• 光構造変化

• 半導体接合

• 擬似ポテンシャル；擬ポテンシャル

• エレクトレット

• 電子雪崩効果; 雪崩効果

• 分数量子ホール効果

• アモルファス半導体→hisyôsitu-handôtai

• 誘電損失

• ゼロギャップ半導体

• 直接ギャップ半導体

• 点接触ダイオード

• 少数キャリヤー

• シリコンダイオード

• ローレンツ・ローレンスの式

• ピエゾ光反射率

• 無秩序系

• 強誘電相転移

• クーロンギャッフ°

• 光学モード

• 干渉性―（形）

• 不純物準位

• フォトルミネセンス

• 光起電力効果; 光起電効果

• 半導体-金属接合

• ゲッタリング

• エピタキシアル型トランジスター

• 電子雪崩

• 分散式

• アクセプター準位