---

• 強誘電分域

• 空乏層

• 希釈

• 拡散電流

• 不純物拡散

• ホール係数

• 光電磁効果

• 発光ダイオード

• 原子散乱因子

• ドレイン

• 電解型半導体

• 微結晶; 結晶子

• 自己束縛励起子；自縄自縛励起子

• 有機半導体

• ツェナーダイオード

• 単接合トランジスター

• ステーブラー・ロンスキー効果

• 繊維

• リデン・ザックス・テラーの関係式

• pinダイオード

• マーデルング定数

• 共鳴トンネルダイオード

• 構造相転移

• 基礎吸収

• 可変領域ホッピング

• 不純物補償

• ホール角

• ヘテロ接合バイポーラトランジスター

• 破壊電圧

• 原子価制御

• ドナー準位

• 電荷; 荷電

• バレー軌道分裂; 軌道分裂

• 自己束縛電子；自縄自縛電子

• 誘電体

• トランジスター

• 谷【半導体】

• スナップオフダイオード

• 成長接合型トランジスタ

• レーザーアニーリング

• P型半導体

• M中心

• 局在振動

• 構造緩和

• 基本格子

• 化合物半導体

• 不純物半導体

• ホール移動度

• ヘテロ接合

• ハイトラー・ ロンドン型の絶縁体